Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP50R07N2E4BPSA1
FP50R07N2E4BPSA1

FP50R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies

infineon-fp50r07n2e4-ds-v2_1_en_de.pdffileiddb3a3043315daf4401316.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT4 and Emitter Controlled 3 Diode and NTC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8229.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO2B, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP50R07N2E4BPSA1 за ціною від 4231.04 грн до 8240.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP50R07N2E4BPSA1 FP50R07N2E4BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp50r07n2e4-ds-v2_1_en_de.pdffileiddb3a3043315daf4401316.pdf IGBT4 and Emitter Controlled 3 Diode and NTC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+8240.98 грн
10+8103.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07N2E4BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP50R07N2E4-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a3043315daf44013161337b5141e6 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5642.19 грн
15+4231.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07N2E4BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP50R07N2E4_DS_v03_00_JA-3162875.pdf IGBT Modules 650 V, 50 A PIM three phase input rectifier IGBT module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7735.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07N2E4BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp50r07n2e4-ds-v2_1_en_de.pdffileiddb3a3043315daf4401316.pdf SP005422478
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.