FP50R12KE3BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10545.61 грн |
| 5+ | 10026.6 грн |
| 10+ | 9506.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12KE3BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FP50R12KE3BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FP50R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 75A 280W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V |
товар відсутній |