FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430aafc5191
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A 280W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6938.33 грн
10+5244.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, Verlustleistung: 280W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 75A, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції FP50R12KE3BOSA1 за ціною від 10354.46 грн до 10466.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies infineonfp50r12ke3dsv0301en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies infineonfp50r12ke3dsv0301en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10466.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 INFINEON INFNS28488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
Verlustleistung: 280W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 infineonfp50r12ke3dsv0301en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 infineonfp50r12ke3dsv0301en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10466.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 INFNS28488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
Verlustleistung: 280W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.