Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP50R12KE3BOSA1
FP50R12KE3BOSA1

FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13797.46 грн
5+13295.27 грн
10+11419.84 грн
30+10657.30 грн
50+9854.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 75A, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FP50R12KE3BOSA1 за ціною від 14261.36 грн до 17720.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies 897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14261.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies 897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14709.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies 897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17720.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 INFINEON Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430aafc5191 Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf
FP50R12KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14261.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf
FP50R12KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14709.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 897fp50r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb3a3.pdf
FP50R12KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17720.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KE3BOSA1 Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430aafc5191
FP50R12KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.