FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 75A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6474.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP50R12KT3BOSA1 за ціною від 7984.62 грн до 11489.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 280W euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Application: Inverter Power dissipation: 280W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FP50R12KT3BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Application: Inverter Power dissipation: 280W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |