FP50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6941.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP50R12KT4B11BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 23-Pin ECONO2-4 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
|
FP50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 23-Pin ECONO2-4 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
|
FP50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FP50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |