FP50R12KT4GB15BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP50R12KT4GB15BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9739.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12KT4GB15BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KT4GB15BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FP50R12KT4GB15BOSA1 за ціною від 10305.47 грн до 10379.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12KT4GB15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FP50R12KT4GB15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FP50R12KT4GB15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FP50R12KT4GB15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||
|
|
FP50R12KT4GB15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||
| FP50R12KT4GB15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |