FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies


FP50R12KT4G_B15.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+6434.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP50R12KT4GB15BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FP50R12KT4GB15BOSA1 FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies FP50R12KT4G_B15.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies FP50R12KT4G_B15.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GB15BOSA1 FP50R12KT4G_B15.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GB15BOSA1 FP50R12KT4G_B15.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.