FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 8951.42 грн |
| 5+ | 8692.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP50R12KT4GBOSA1 за ціною від 8208.02 грн до 9207.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FP50R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |