FP50R12KT4GBOSA1

FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6089.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 35Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FP50R12KT4GBOSA1 за ціною від 6771.17 грн до 14403.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6771.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Виробник : INFINEON INFNS28490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7659.35 грн
5+6986.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 500ds_fp50r12kt4g_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10303.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 500ds_fp50r12kt4g_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+11096.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 500ds_fp50r12kt4g_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14403.06 грн
5+13997.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 500ds_fp50r12kt4g_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.