FP50R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 100A MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 100A MODULE, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: Three Phase Inverter, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції FP50R12KT4PBPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM three phase input rectifier IGBT module |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FP50R12KT4PBPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM three phase input rectifier IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM three phase input rectifier IGBT module
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)