FP50R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9009.22 грн |
| 10+ | 8221.36 грн |
| 30+ | 6458.40 грн |
| 510+ | 6457.67 грн |
| 1005+ | 6456.93 грн |
| 2505+ | 6455.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO2B, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP50R12N2T7B11BPSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12N2T7B11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Three Phase Input Rectifier PIM IGBT Module |
товару немає в наявності |
|
| FP50R12N2T7B11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Three Phase Input Rectifier PIM IGBT Module |
товару немає в наявності |
||
|
|
FP50R12N2T7B11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Three Phase Input Rectifier PIM IGBT Module |
товару немає в наявності |
|
|
|
FP50R12N2T7B11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Three Phase Input Rectifier PIM IGBT Module |
товару немає в наявності |
|
| FP50R12N2T7B11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |