FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon Technologies


Infineon_FP50R12N2T7P_DataSheet_v01_00_CN-3445986.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5658.72 грн
10+4605.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon Technologies

Description: 1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE, Configuration: Three Phase Inverter, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 4 µA, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: AG-ECONO2B, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ).

Інші пропозиції FP50R12N2T7PBPSA1 за ціною від 8533.11 грн до 9572.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP50R12N2T7PBPSA1 FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP50R12N2T7P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a42f052e20 Description: 1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 4 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9572.78 грн
10+8533.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon-FP50R12N2T7P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a42f052e20
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 4 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9572.78 грн
10+8533.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.