FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2181.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP50R12W2T7B11BOMA1 за ціною від 3016.09 грн до 6436.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FP50R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules N |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
товару немає в наявності |