
FP75R12KT3BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 5353.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP75R12KT3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 355W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 355W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 75A, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP75R12KT3BOSA1 за ціною від 5980.26 грн до 11081.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 355 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 355W euEccn: NLR Verlustleistung: 355W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FP75R12KT3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |