на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7109.22 грн |
| 10+ | 6817.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP75R12KT4 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 385W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: AG-ECONO3-3, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Semiconductor structure: diode/transistor, Technology: EconoPIM™ 3, Type of semiconductor module: IGBT, Application: Inverter, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FP75R12KT4 за ціною від 16790.17 грн до 23992.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP75R12KT4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 385W Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-ECONO3-3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Semiconductor structure: diode/transistor Technology: EconoPIM™ 3 Type of semiconductor module: IGBT Application: Inverter |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP75R12KT4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 385W Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-ECONO3-3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Semiconductor structure: diode/transistor Technology: EconoPIM™ 3 Type of semiconductor module: IGBT Application: Inverter кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|