FP75R12KT4B16BOSA1

FP75R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP75R12KT4-DS-v03_00-CN.pdf?fileId=db3a30433dd58def013dd99b7db3181f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 385W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11364.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP75R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 150A 385W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 385 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP75R12KT4B16BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP75R12KT4B16BOSA1 Виробник : Infineon Technologies nods.pdf FP75R12KT4B16BOSA1
товар відсутній
FP75R12KT4B16BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP75R12KT4-DS-v03_00-CN.pdf?fileId=db3a30433dd58def013dd99b7db3181f IGBT Module Product
товар відсутній
FP75R12KT4B16BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP75R12KT4-DS-v03_00-CN.pdf?fileId=db3a30433dd58def013dd99b7db3181f IGBT Modules LOW POWER ECONO
товар відсутній