Продукція > Транзистори > IGBT > FP75R12KT4B16BOSA1

FP75R12KT4B16BOSA1

Код товару: 219908
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FP75R12KT4B16BOSA1 за ціною від 5058.67 грн до 7571.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FP75R12KT4B16BOSA1 FP75R12KT4B16BOSA1 INFINEON 4626549.pdf Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7571.71 грн
5+7337.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 150A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6696.28 грн
10+5058.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A three phase PIM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7026.52 грн
10+6165.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1 4626549.pdf
FP75R12KT4B16BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7571.71 грн
5+7337.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6696.28 грн
10+5058.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 75 A three phase PIM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7026.52 грн
10+6165.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.