Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FP75R12KT4B16BOSA1 за ціною від 5015.59 грн до 7507.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP75R12KT4B16BOSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPIM 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FP75R12KT4B16BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 385W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 385 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FP75R12KT4B16BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 75 A three phase PIM |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| FP75R12KT4B16BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Module Product |
товару немає в наявності |