Технічний опис FP75R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP75R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 385W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FP75R12KT4BOSA1 за ціною від 6176.64 грн до 15805.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP75R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP75R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP75R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP75R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FP75R12KT4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP75R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 385W euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FP75R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6665.78 грн |
| 3+ | 6599.28 грн |
| 10+ | 6176.64 грн |
| FP75R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10318.71 грн |
| FP75R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10385.30 грн |
| FP75R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15805.12 грн |
| FP75R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 385W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FP75R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 385W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)