Продукція > INFINEON > FP75R12N2T7B11BPSA1
FP75R12N2T7B11BPSA1

FP75R12N2T7B11BPSA1 INFINEON


3437279.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5825.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP75R12N2T7B11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FP75R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FP75R12N2T7B11BPSA1 за ціною від 7830.81 грн до 11498.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP75R12N2T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP75R12N2T7_B11_DataSheet_v00_10_EN-3051399.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11498.28 грн
10+9116.84 грн
100+7921.81 грн
200+7830.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12N2T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp75r12n2t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf SP005434982
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12N2T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP75R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0b2becfb71db Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-711
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 14 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.