FP75R12N3T7BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP75R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5753.19 грн |
| 5+ | 5637.93 грн |
| 10+ | 5522.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP75R12N3T7BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP75R12N3T7BPSA1 за ціною від 4836.59 грн до 9371.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP75R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FP75R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FP75R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FP75R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|