Продукція > ONSEMI > FPF2G120BF07AS
FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS onsemi

TND6237-D.PDF Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7113.27 грн
10+6187.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FPF2G120BF07AS onsemi

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: 3 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: F2, IGBT Type: Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 156 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA.

Інші пропозиції FPF2G120BF07AS за ціною від 7796.81 грн до 11462.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FPF2G120BF07AS FPF2G120BF07AS Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FPF2G120BF07AS-1297542.pdf IGBT Modules High Power Module
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0001352582-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7796.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0001352582-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FPF2G120BF07AS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+11462.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS FPF2G120BF07AS Виробник : onsemi TND6237-D.PDF Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.