FPF2G120BF07AS onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6943.17 грн |
| 10+ | 6039.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FPF2G120BF07AS onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: 3 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: F2, IGBT Type: Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 156 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA.
Інші пропозиції FPF2G120BF07AS за ціною від 7610.37 грн до 7610.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FPF2G120BF07AS | ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Modules High Power Module |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| FPF2G120BF07AS | Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: F2 IGBT Type: Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 156 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FPF2G120BF07AS |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Modules High Power Module
IGBT Modules High Power Module
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FPF2G120BF07AS |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7610.37 грн |