FPF2G120BF07ASP onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: F2
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 156 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FPF2G120BF07ASP onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2, Package / Case: Module, Packaging: Bulk, IGBT Type: Field Stop, Supplier Device Package: F2, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 3 Independent, Input: Standard, Mounting Type: Through Hole, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 156 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A.
Інші пропозиції FPF2G120BF07ASP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FPF2G120BF07ASP | ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Modules High Power Module |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FPF2G120BF07ASP |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Modules High Power Module
IGBT Modules High Power Module
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)