FPN660A

FPN660A Fairchild Semiconductor


FAIRS20310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 3A TO226
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: TO-226
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 11565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1665+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FPN660A Fairchild Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 3A TO226, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: TO-226, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції FPN660A за ціною від 15.07 грн до 15.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FPN660A Виробник : ONSEMI FAIRS20310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FPN660A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FPN660A FPN660A Виробник : onsemi FPN660, FPN660A.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A TO226
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: TO-226
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.