Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQA10N80
FQA10N80

FQA10N80 Fairchild Semiconductor

FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 58266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 193
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA10N80 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA10N80

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQA10N80 Виробник : Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA10N80.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80 FQA10N80 Виробник : onsemi FQA10N80.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA10N80 FQA10N80 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_161433543301-1191953.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній