Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQA10N80C-F109
FQA10N80C-F109

FQA10N80C-F109 onsemi / Fairchild

FQA10N80C_F109_D-1809426.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA10N80C-F109 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 10, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 240, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 240, Bauform - Transistor: TO-3PN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQA10N80C-F109

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQA10N80C-F109 FQA10N80C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109 ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA10N80C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.