FQA10N80C-F109 ONSEMI

Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 10, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 240, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 240, Bauform - Transistor: TO-3PN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93, SVHC: Lead (17-Jan-2022).