на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.12 грн |
| 10+ | 253.20 грн |
| 25+ | 208.43 грн |
| 100+ | 180.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA13N50C-F109 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 218W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA13N50C-F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA13N50C-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQA13N50C-F109 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 218W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
FQA13N50C-F109 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
FQA13N50C-F109 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 218W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |