Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQA13N50C
FQA13N50C

FQA13N50C Fairchild Semiconductor

FAIRS27635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA13N50C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 218W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції FQA13N50C за ціною від 195.37 грн до 195.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA13N50C Виробник : ONSEMI FAIRS27635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQA13N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+195.37 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C FAIRS27635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA13N50C.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C
Код товару: 190199
Додати до обраних Обраний товар

FAIRS27635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA13N50C.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C FQA13N50C Виробник : ON Semiconductor 573232213514957fqa13n50c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C FQA13N50C Виробник : onsemi FQA13N50C.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C FQA13N50C Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_1614335358521-1191919.pdf MOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.