на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.71 грн |
| 10+ | 168.63 грн |
| 25+ | 139.37 грн |
| 100+ | 122.19 грн |
| 450+ | 121.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA13N50CF onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 218W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції FQA13N50CF за ціною від 131.89 грн до 286.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA13N50CF | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FQA13N50CF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 218 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 218 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET FRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQA13N50CF |
|
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
 |
FQA13N50CF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FQA13N50CF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FQA13N50CF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.5A; Idm: 60A; 218W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 218W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |