Інші пропозиції FQA13N80 за ціною від 150.64 грн до 150.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA13N80 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FQA13N80 | Виробник : FAIRCHILD |
2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FQA13N80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FQA13N80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-3P N-CH 600V |
товару немає в наявності |