Інші пропозиції FQA24N60 за ціною від 255.97 грн до 630.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA24N60 | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 145nC |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 6170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQA24N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQA24N60 | onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel QFET |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 310W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 255.97 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 322.62 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 322.62 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 450.59 грн |
| 60+ | 446.18 грн |
| 120+ | 429.63 грн |
| 510+ | 373.20 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 460.68 грн |
| 30+ | 456.00 грн |
| 60+ | 451.53 грн |
| 120+ | 434.78 грн |
| 510+ | 377.67 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 504.72 грн |
| 5+ | 428.78 грн |
| 10+ | 394.71 грн |
| 30+ | 388.89 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 513.84 грн |
| 100+ | 487.86 грн |
| 500+ | 463.05 грн |
| 1000+ | 421.45 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 513.84 грн |
| 100+ | 487.86 грн |
| 500+ | 463.05 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 630.63 грн |
| 30+ | 358.03 грн |
| 60+ | 328.30 грн |
| 120+ | 284.63 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






