FQA24N60 ON Semiconductor
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 457.3 грн |
| 10+ | 404.11 грн |
| 30+ | 360.65 грн |
| 120+ | 327.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA24N60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQA24N60 за ціною від 262.88 грн до 604.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA24N60 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA24N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA24N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Channel QFET |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA24N60 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FQA24N60 | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FQA24N60 Код товару: 153338 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
FQA24N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA24N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA24N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQA24N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA24N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |