Інші пропозиції FQA30N40 за ціною від 265.34 грн до 479.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA30N40 | onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 400V N-Channel QFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQA30N40 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PN Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FQA30N40 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 400V N-Channel QFET
MOSFETs 400V N-Channel QFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.39 грн |
| 10+ | 437.64 грн |
| 25+ | 292.58 грн |
| 100+ | 278.61 грн |
| 250+ | 266.04 грн |
| 450+ | 265.34 грн |
| FQA30N40 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 479.19 грн |