
FQA32N20C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 295.43 грн |
10+ | 252.26 грн |
100+ | 174.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA32N20C ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 204W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 204W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQA32N20C за ціною від 52.02 грн до 52.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQA32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
![]() |
FQA32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
FQA32N20C | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQA32N20C Код товару: 169364
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
![]() |
FQA32N20C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 204W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FQA32N20C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |