FQA32N20C ON Semiconductor
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 100.15 грн |
| 10+ | 99.13 грн |
| 25+ | 95.70 грн |
| 50+ | 91.35 грн |
| 100+ | 80.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA32N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 204W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 204W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQA32N20C за ціною від 50.50 грн до 288.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQA32N20C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 204W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 204W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQA32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FQA32N20C | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 32A 200V 204W 0.082Ω FQA32N20C TFQA32n20c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
FQA32N20C Код товару: 169364
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
FQA32N20C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 204W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FQA32N20C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
товару немає в наявності |