Продукція > ONSEMI > FQA36P15
FQA36P15

FQA36P15 ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.21 грн
3+260.97 грн
5+205.16 грн
13+194.15 грн
120+193.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA36P15 ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA36P15 за ціною від 232.04 грн до 375.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA36P15 FQA36P15 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.85 грн
3+325.21 грн
5+246.19 грн
13+232.98 грн
120+232.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15
Код товару: 52210
Додати до обраних Обраний товар

fqa36p15-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 Виробник : ON Semiconductor fqa36p15jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 Виробник : ON Semiconductor fqa36p15-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 Виробник : ON Semiconductor fqa36p15-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 Виробник : ON Semiconductor fqa36p15jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 Виробник : onsemi fqa36p15-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 Виробник : onsemi / Fairchild FQA36P15_D-1809654.pdf MOSFETs 150V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.