Інші пропозиції FQA36P15 за ціною від 208.43 грн до 321.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA36P15 | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -25.5A Power dissipation: 294W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FQA36P15 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FQA36P15 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQA36P15 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQA36P15 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V P-Channel QFET |
товару немає в наявності |