
FQA46N15 ON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 130.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA46N15 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQA46N15 за ціною від 112.91 грн до 181.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQA46N15 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA46N15 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA46N15 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA46N15 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA46N15 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA46N15 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
FQA46N15 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FQA46N15 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |