FQA65N20 Fairchild
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 158.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA65N20 Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-3PN, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQA65N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA65N20 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PN Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FQA65N20 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FQA65N20 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQA65N20 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Channel QFET
MOSFET 200V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.