Інші пропозиції FQA70N10 за ціною від 89.30 грн до 299.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA70N10 | Виробник : Fairchild |
 N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQA70N10 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|