FQA7N80C-F109 onsemi
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 111.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA7N80C-F109 onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4.4A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 198W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 35nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції FQA7N80C-F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA7N80C-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQA7N80C-F109 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товар відсутній |
|
 |
FQA7N80C-F109 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 198W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |