FQA8N100C ON Semiconductor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA8N100C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQA8N100C за ціною від 175.83 грн до 339.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA8N100C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQA8N100C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQA8N100C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET |
на замовлення 11084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQA8N100C | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
FQA8N100C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FQA8N100C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A On-state resistance: 1.45Ω Power dissipation: 225W Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FQA8N100C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A On-state resistance: 1.45Ω Power dissipation: 225W Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |