Продукція > FAIRCHILD > FQA8N100C
FQA8N100C

FQA8N100C Fairchild

info-tfqa8n100c.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+252.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA8N100C Fairchild

Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQA8N100C за ціною від 198.63 грн до 433.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQA8N100C FQA8N100C onsemi fqa8n100c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.95 грн
30+238.16 грн
120+198.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C onsemi fqa8n100c-d.pdf MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild FQA8N100C-D.PDF MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C ONSEMI ONSM-S-A0003590025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+433.95 грн
30+238.16 грн
120+198.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Виробник: onsemi
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C-D.PDF
FQA8N100C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C ONSM-S-A0003590025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA8N100C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.