FQA8N90C-F109 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.05 грн |
| 10+ | 197.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA8N90C-F109 onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA8N90C-F109 за ціною від 196.91 грн до 312.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA8N90C-F109 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 900V N-Channel |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQA8N90C-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FQA8N90C-F109 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 240W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |