Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQA9N90-F109
FQA9N90-F109

FQA9N90-F109 Fairchild Semiconductor

fqa9n90_f109-d.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+176.19 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA9N90-F109 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA9N90-F109 за ціною від 167.60 грн до 384.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+237.02 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+237.02 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : onsemi / Fairchild FQA9N90_F109_D-1809703.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.83 грн
10+318.60 грн
25+261.74 грн
100+215.82 грн
250+192.86 грн
450+182.91 грн
900+167.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 Виробник : ON Semiconductor FQA9N90_F109-D.PDF fqa9n90_f109-d.pdf
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : onsemi FQA9N90_F109-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.