Технічний опис FQA9N90C FSC
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA9N90C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA9N90C | Виробник : FAIRCHILD |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FQA9N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товару немає в наявності |
|
 |
FQA9N90C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FQA9N90C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Channel Q-FET |
товару немає в наявності |