Продукція > ONSEMI > FQAF13N80
FQAF13N80

FQAF13N80 ONSEMI

ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+432.45 грн
10+349.92 грн
100+268.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQAF13N80 ONSEMI

Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FQAF13N80 за ціною від 297.22 грн до 473.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : onsemi / Fairchild FQAF13N80_D-1809746.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.78 грн
10+417.09 грн
25+350.92 грн
100+297.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : ON Semiconductor fqaf13n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : onsemi fqaf13n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.