Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQB11P06TM

FQB11P06TM onsemi / Fairchild

Name: FQB11P06TM
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 4996387-4
Price: 422.28 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 6453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	140.76 грн
10+	125.21 грн
100+	84.60 грн
500+	69.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQB11P06TM onsemi / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB11P06TM

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQB11P06TM	Виробник : ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.05A Pulsed drain current: -45.6A Power dissipation: 53W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQB11P06TM	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQB11P06TM	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQB11P06TM	Виробник : ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.05A Pulsed drain current: -45.6A Power dissipation: 53W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.