Продукція > FAIRCHILD > FQB12P20TM
FQB12P20TM

FQB12P20TM Fairchild

info-tfqb12p20tm.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB12P20TM Fairchild

Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQB12P20TM за ціною від 55.74 грн до 236.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.42 грн
1600+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 470mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.40 грн
5+140.12 грн
10+123.54 грн
50+90.37 грн
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 42418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.83 грн
10+122.60 грн
100+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.17 грн
90+157.85 грн
138+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.26 грн
250+177.27 грн
800+142.76 грн
1600+114.05 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 17872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild FQB12P20-D.PDF MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 24695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+62.42 грн
1600+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+92.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 470mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+188.40 грн
5+140.12 грн
10+123.54 грн
50+90.37 грн
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 42418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.83 грн
10+122.60 грн
100+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+210.17 грн
90+157.85 грн
138+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+236.26 грн
250+177.27 грн
800+142.76 грн
1600+114.05 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 17872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20-D.PDF
FQB12P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 24695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.