FQB12P20TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.94 грн |
| 10+ | 103.29 грн |
| 100+ | 82.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB12P20TM onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB12P20TM за ціною від 49.08 грн до 141.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB12P20TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V P-Channel QFET |
на замовлення 34200 шт: термін постачання 273-282 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQB12P20TM | Виробник : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FQB12P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FQB12P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FQB12P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FQB12P20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A On-state resistance: 470mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FQB12P20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FQB12P20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A On-state resistance: 470mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |