Продукція > FAIRCHILD > FQB12P20TM
FQB12P20TM

FQB12P20TM Fairchild

info-tfqb12p20tm.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB12P20TM Fairchild

Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQB12P20TM за ціною від 59.16 грн до 239.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.00 грн
1600+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild FQB12P20-D.PDF MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 24695 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+180.03 грн
10+126.99 грн
100+78.25 грн
500+68.53 грн
800+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 470mΩ
Power dissipation: 120W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.30 грн
5+147.73 грн
10+128.74 грн
11+89.96 грн
29+85.00 грн
100+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 31407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.26 грн
10+129.76 грн
50+99.31 грн
100+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+211.58 грн
90+158.91 грн
138+103.36 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+230.37 грн
10+147.18 грн
100+87.76 грн
500+73.86 грн
800+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.84 грн
250+178.46 грн
800+143.72 грн
1600+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.97 грн
10+160.26 грн
25+158.05 грн
100+108.29 грн
250+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.97 грн
89+160.26 грн
91+158.05 грн
127+108.29 грн
250+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.00 грн
1600+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+104.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+132.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20-D.PDF
FQB12P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 24695 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.03 грн
10+126.99 грн
100+78.25 грн
500+68.53 грн
800+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 470mΩ
Power dissipation: 120W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.30 грн
5+147.73 грн
10+128.74 грн
11+89.96 грн
29+85.00 грн
100+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 31407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.26 грн
10+129.76 грн
50+99.31 грн
100+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+211.58 грн
90+158.91 грн
138+103.36 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.37 грн
10+147.18 грн
100+87.76 грн
500+73.86 грн
800+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+237.84 грн
250+178.46 грн
800+143.72 грн
1600+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+239.97 грн
10+160.26 грн
25+158.05 грн
100+108.29 грн
250+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+239.97 грн
89+160.26 грн
91+158.05 грн
127+108.29 грн
250+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.