Продукція > ONSEMI > FQB12P20TM
FQB12P20TM

FQB12P20TM onsemi

fqb12p20-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.11 грн
1600+59.19 грн
2400+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB12P20TM onsemi

Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQB12P20TM за ціною від 49.56 грн до 205.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.82 грн
500+69.76 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.73 грн
5+110.07 грн
11+84.49 грн
30+80.61 грн
100+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.27 грн
5+137.16 грн
11+101.39 грн
30+96.74 грн
100+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.07 грн
10+119.06 грн
100+83.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+190.95 грн
10+127.52 грн
25+125.77 грн
100+86.17 грн
250+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : onsemi / Fairchild fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 18844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.86 грн
10+136.07 грн
100+87.81 грн
500+66.53 грн
800+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.17 грн
10+131.06 грн
100+91.82 грн
500+69.76 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+205.64 грн
89+137.33 грн
91+135.44 грн
127+92.80 грн
250+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM Виробник : Fairchild fqb12p20-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM Виробник : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.