Продукція > ONSEMI > FQB19N20LTM
FQB19N20LTM

FQB19N20LTM onsemi

fqb19n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB19N20LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB19N20LTM за ціною від 49.20 грн до 134.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.70 грн
5+93.80 грн
13+71.69 грн
35+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.84 грн
10+88.92 грн
100+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild fqb19n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 30831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.54 грн
10+104.40 грн
100+64.06 грн
250+63.99 грн
800+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.04 грн
5+116.90 грн
13+86.03 грн
35+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.