Продукція > ONSEMI > FQB19N20TM
FQB19N20TM

FQB19N20TM onsemi

fqb19n20-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB19N20TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB19N20TM за ціною від 60.13 грн до 219.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+153.85 грн
10+132.77 грн
25+131.45 грн
100+102.26 грн
250+93.72 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+165.69 грн
86+142.99 грн
87+141.56 грн
107+110.12 грн
250+100.93 грн
500+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : onsemi fqb19n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.73 грн
10+131.20 грн
100+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : onsemi / Fairchild fqb19n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.72 грн
10+144.67 грн
100+89.02 грн
800+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM Виробник : FCS fqb19n20-d.pdf 02+
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ONSEMI FQB19N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ONSEMI FQB19N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.