Продукція > ONSEMI > FQB19N20TM
FQB19N20TM

FQB19N20TM onsemi

fqb19n20-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB19N20TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB19N20TM за ціною від 31.37 грн до 229.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.36 грн
16+39.09 грн
25+37.09 грн
100+33.79 грн
250+31.90 грн
500+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+125.06 грн
500+111.84 грн
1000+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : onsemi fqb19n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.16 грн
10+127.98 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : onsemi / Fairchild fqb19n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.16 грн
10+152.29 грн
100+90.49 грн
800+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM Виробник : FAIRCHILD fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+125.06 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM Виробник : FCS fqb19n20-d.pdf 02+
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor 3940360900377305fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ON Semiconductor fqb19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F4D6E725280D2&compId=FQB19N20.pdf?ci_sign=69160bb676caee40f2e7802d765fbd342bacf93e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F4D6E725280D2&compId=FQB19N20.pdf?ci_sign=69160bb676caee40f2e7802d765fbd342bacf93e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.