Продукція > ONSEMI > FQB22P10TM
FQB22P10TM

FQB22P10TM onsemi

fqb22p10-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.92 грн
1600+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB22P10TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB22P10TM за ціною від 59.38 грн до 214.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB22P10TM FQB22P10TM Виробник : onsemi fqb22p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.41 грн
10+114.72 грн
100+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM Виробник : onsemi / Fairchild fqb22p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 44779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.97 грн
10+137.78 грн
25+118.32 грн
100+86.32 грн
500+72.11 грн
800+60.42 грн
2400+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.64 грн
10+106.19 грн
12+79.84 грн
32+75.19 грн
500+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.37 грн
10+132.33 грн
12+95.81 грн
32+90.23 грн
500+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM Виробник : Fairchild fqb22p10-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM Виробник : ON Semiconductor fqb22p10jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.