Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQB25N33TM-F085

FQB25N33TM-F085 Fairchild Semiconductor

Name: FQB25N33TM-F085
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 12457821-3
Price: 22549.38 UAH
Availability: InStock

ONSM-S-A0003590102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
159+	141.82 грн

Мінімальне замовлення: 159

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQB25N33TM-F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FQB25N33TM-F085

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQB25N33TM-F085	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FQB25N33TM-F085	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FQB25N33TM-F085	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET 330V NCH MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.