FQB27N25TM-F085 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 232+ | 96.44 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
232 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB27N25TM-F085 Fairchild Semiconductor
Description: FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FQB27N25TM-F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FQB27N25TM_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
FQB27N25TM_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FQB27N25TM-F085 | onsemi |
MOSFETs 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQB27N25TM_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQB27N25TM_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQB27N25TM-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
MOSFETs 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



