Продукція > ONSEMI > FQB27P06TM
FQB27P06TM

FQB27P06TM onsemi

fqb27p06-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+64.67 грн
1600+61.75 грн
2400+59.33 грн
4000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB27P06TM onsemi

Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FQB27P06TM за ціною від 59.96 грн до 201.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : ON Semiconductor fqb27p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : ONSEMI 2304333.pdf Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.38 грн
10+126.91 грн
100+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : onsemi / Fairchild fqb27p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.70 грн
10+141.29 грн
25+116.97 грн
100+86.81 грн
800+61.06 грн
2400+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM
Код товару: 165405
Додати до обраних Обраний товар

fqb27p06-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : ON Semiconductor fqb27p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : ONSEMI FQB27P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM Виробник : ONSEMI FQB27P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.