на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.54 грн |
| 10+ | 103.39 грн |
| 100+ | 69.92 грн |
| 500+ | 56.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB30N06LTM onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB30N06LTM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB30N06LTM | Виробник : FAIRCHIL.. |
 09+ BGA |
на замовлення 927 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FQB30N06LTM | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FQB30N06LTM | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FQB30N06LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FQB30N06LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FQB30N06LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQB30N06LTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.6A; Idm: 128A; 79W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22.6A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 79W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |