FQB30N06LTM

FQB30N06LTM onsemi / Fairchild


FQB30N06L_D-1809672.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.43 грн
10+113.94 грн
100+77.06 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB30N06LTM onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB30N06LTM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB30N06LTM Виробник : FAIRCHIL.. fqb30n06l-d.pdf 09+ BGA
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB30N06LTM Виробник : FAIRCHILD fqb30n06l-d.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB30N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqb30n06l-d.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB30N06LTM FQB30N06LTM Виробник : ON Semiconductor 3671478737055707fqb30n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB30N06LTM FQB30N06LTM Виробник : onsemi fqb30n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB30N06LTM FQB30N06LTM Виробник : onsemi fqb30n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.