Продукція > FAIRCHILD > FQB33N10TM
FQB33N10TM

FQB33N10TM Fairchild

info-tfqb33n10tm.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB33N10TM Fairchild

Description: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FQB33N10TM за ціною від 127.32 грн до 128.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB33N10TM FQB33N10TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.93 грн
10+127.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10TM Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQB33N10_D-2313811.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10TM Виробник : onsemi FQB33N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10TM Виробник : ONSEMI FQB33N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Power dissipation: 127W
Technology: QFET®
On-state resistance: 52mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.