FQB33N10TM

FQB33N10TM Fairchild


info-tfqb33n10tm.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB33N10TM Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB33N10TM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB33N10TM FQB33N10TM Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQB33N10_D-2313811.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.