Продукція > ONSEMI > FQB34N20LTM
FQB34N20LTM

FQB34N20LTM onsemi

fqb34n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+128.40 грн
1600+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB34N20LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB34N20LTM за ціною від 68.17 грн до 336.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Виробник : onsemi fqb34n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.04 грн
10+205.08 грн
100+145.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQB34N20L-D.pdf MOSFETs 200V Single
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.78 грн
10+227.46 грн
100+140.52 грн
500+124.48 грн
800+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM Виробник : Fairchild fqb34n20l-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3678556577922394fqb34n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3678556577922394fqb34n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3678556577922394fqb34n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.