FQB34N20LTM Fairchild
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 75.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB34N20LTM Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FQB34N20LTM за ціною від 104.34 грн до 307.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB34N20LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQB34N20LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
на замовлення 4687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQB34N20LTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V Single |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|